傳感器的內(nèi)光電效應(yīng)是什么?今天德寶小編給大家介紹一下有關(guān)這方面的知識(shí)：

　　當(dāng)光照射到半導(dǎo)體表面時(shí)，光子的能量被半導(dǎo)體中的電子吸收，從而使電子逸出從半導(dǎo)體表面的表面到周?chē)目臻g。這種現(xiàn)象可以用來(lái)制作陰極射線(xiàn)管、光電倍增管和攝像管的時(shí)間等。

　　具有帶隙的半導(dǎo)體材料的價(jià)態(tài)和導(dǎo)帶，其能隙一般是：在一般情況下，電子不自發(fā)地在價(jià)帶上的導(dǎo)帶，所以半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性比導(dǎo)體好得多。但如果在某種程度上對(duì)電子在價(jià)帶能量，將激發(fā)到導(dǎo)帶和形成的載體，導(dǎo)電性的增加。光是一種激勵(lì)模式。當(dāng)入射光能量H V等于或大于例如(例如是帶隙)，在吸收的光子能量的導(dǎo)帶中的電子和過(guò)渡到導(dǎo)帶，并在價(jià)帶上留下一個(gè)洞，形成一個(gè)導(dǎo)電的電子-空穴對(duì)。

　　這里的電子沒(méi)有逃脫光電子的形成，但顯然有一個(gè)光由于電效應(yīng)。因此，這種光電效應(yīng)是一種內(nèi)光電效應(yīng)。從理論和實(shí)驗(yàn)的結(jié)果中，我們可以看到，在入射光的能量在價(jià)帶到導(dǎo)帶的電子躍遷的限制，Eλ= H V 0 =如，其中V 0是低頻率的限制，稱(chēng)為臨界頻率v 0 =呃。這種關(guān)系也可以在長(zhǎng)波極限，即表示，0 = hceg。入射光頻率大于或小于0的波長(zhǎng)λ0，電子帶間躍遷發(fā)生。

　　當(dāng)入射光的能量小，不能使電子從價(jià)帶向?qū)В陀锌赡苁闺娮游盏墓?，在一個(gè)波段的分能級(jí)結(jié)構(gòu)(圖1中的每一波段的細(xì)線(xiàn))之間的轉(zhuǎn)換